Monokristāliskā silīcija priekšrocības

Monokristāliskam silīcijam, pateicoties tā augsti sakārtotam atomu izvietojumam, ir zema elektriskā pretestība (pretestība līdz 0,001 Ω·cm) un augsta elektronu mobilitāte (apmēram 1500 cm²/V·s), ievērojami uzlabojot elektronisko ierīču darbības ātrumu un samazinot enerģijas patēriņu. Runājot par optiskajām īpašībām, tam ir gandrīz -infrasarkanās gaismas caurlaidība, kas pārsniedz 90% ar minimālu gaismas izkliedi, tāpēc tas ir piemērots optisko šķiedru sakariem (piemēram, 1550 nm joslai) un fotodetektoru ražošanai. Termiski monokristāliskā silīcija siltumvadītspēja ir pat 150 W/(m·K), kas nodrošina ātru siltuma izkliedi un nodrošina ierīces stabilitāti augstas -temperatūras vidē (darba temperatūra līdz 200 grādiem). Mehāniski tam ir Mosa cietība 7,0 un lieces izturība pārsniedz 1 GPa, kas atbilst pusvadītāju ražošanas precīzās apstrādes prasībām.